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我国科研工作者也立足于二维材料在未来科技领域的巨大应用前景

文章作者:优博时时彩平台开户发布时间:2019-12-18浏览次数:1457

自2004年发现石墨烯以来,二维原子单晶,包括石墨烯,过渡金属硫属元素化物(TMDs)和最近发现的元素二维X-烯(Xenes,如phosphene,Silene和锑),已成为前沿材料科学由于其独特而优异的物理和光学特性。发现者A. Geim和K. Novoselov还因摩尔时代电子,信息和能源的快速发展而获得2010年诺贝尔物理学奖。与传统半导体如Si基和GaAs基相比,二维材料具有高迁移率,高吸光度,CMOS兼容性,高透明度,韧性和低成本,为可穿戴设备的发展提供了新的材料基础和平台,高密度和智能光电集成电路。

中国的科研人员也是基于二维材料在未来科技领域的巨大应用前景,开展了大量前瞻性的基础和应用研究工作,抢占二维新兴的国际制高点领域。作为半导体领域的知名核心期刊,《半导体学报》也报道了国内外该领域的最新发展,并邀请了中国科学院半导体研究所研究员李静波,南京大学王新然教授担任客座编辑,出版了题为“二维材料与器件”的书。特刊。李静波集团是世界上最早开发二维半导体材料和器件的研究团体之一,受到国际学术界的广泛关注。该组的核心成员霍能杰博士和杨玉玺博士于2017年3月《半导体学报》。发表了题为“基于2D TMD和异质结构的光电子学”的原始论文[5]。本文系统地报道了自行开发的二维半导体及其异质结材料制备方法,厚度依赖性光学性质(PL和拉曼),以及高性能光电器件(包括晶体管,光电探测器和光伏电池)。研究工作在促进和指导二维半导体技术的发展方面发挥了一定的作用。特别是,详细研究了二维TMD和异质结对声子模和带结构的层间耦合和量子限制效应的重要影响和内在机制。发现单层TMD具有直接带隙结构并表现出优异的性能。荧光性能

最近,麻省理工学院(MIT)的Jeehwan Kim教授在2018年11月发表了一篇题为“晶圆尺度二维材料原子精确处理的可控裂纹扩展”的论文[6]。首先发展了一种层分辨分裂(LRS)技术来生产晶圆尺度的单层二维材料,对二维半导体技术的商业化具有里程碑意义。值得注意的是,科学论文在两个地方引用了上述[0x9A8b]论文。他们用一个大截面报道了[0x9A8b]报道的结果(即单层ws2~1.99 eV的直接带隙和强荧光性质(图1a)),这是他们成功制备单层ws2的重要依据之一。

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